Teile-Nr.

Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON

RS Best.-Nr.:: 133-2814
Herst. Teile-Nr.:: TPN30008NH,LQ(S
Hersteller:: Toshiba

Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON

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Herst. Teile-Nr.:: TPN30008NH,LQ(S
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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	22A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	U-MOSVIII-H
	Gehäusegröße	TSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	30mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	27W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.85mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie U-MOSVIII-H
	Gehäusegröße TSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 27W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.85mm
	Automobilstandard Nein

Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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