Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 133-2809
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-09-221
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH11006NL,LQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
€ 7,08
(ohne MwSt.)
€ 8,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 + | € 0,354 | € 7,08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-2809
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-09-221
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH11006NL,LQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 8-Pin TPH11003NL,LQ(S SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 8-Pin TPH8R903NL,LQ(S SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 8-Pin TPN30008NH,LQ(S TSON
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal 8-Pin TSON
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal 8-Pin TSON
- Toshiba Einfach U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 1 MOSFET ErweiterungLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 3-Pin TK15S04N1L,LQ(O TO-252
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 3-Pin TK100E06N1,S1X(S TO-220