Infineon IPB64N25S3-20 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 171-1959
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB64N25S320ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPB64N25S3-20 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.25mm | |
| Länge | 10mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPB64N25S3-20 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.25mm | ||
Länge 10mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC | ||
Infineon IPB64N25S3-20 Serie MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB64N25S320ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen sehr breiten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage in einem TO-263-Gehäuse ausgelegt, wodurch er sich für kompakte Baugruppen eignet, bei denen eine robuste Leistungsaufnahme erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 250 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 20 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 67 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Nennspannung sorgt für sichere Gate-Drive-Margen
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 20 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 67 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Nennspannung sorgt für sichere Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Ideal für Kraftfahrzeug-Leistungsumwandlungsmodule
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Wird mit Wechselrichterstufen mit Motorantrieb verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Industrieelektronik
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Wird mit Wechselrichterstufen mit Motorantrieb verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Industrieelektronik
Welchen Temperaturbereich verträgt dieses Gerät in rauen Umgebungen?
Er funktioniert bei Umgebungstemperaturen von -55 °C bis 175 °C, was den Einsatz in Anwendungen mit extremen Temperaturen ermöglicht und den Bedarf an umfangreichem Wärmeschutz verringert.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage und -kühlung aus?
Der oberflächenmontierbare Formfaktor TO-263 bietet eine flache Montageoption und verfügt über ein großes Wärmeleitpad zur Wärmeübertragung auf Kühlkörper oder Kupferguss auf der Leiterplatte.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?
Eine Gate-Source-Nennspannung von 20 V legt den maximal zulässigen Gate-Antrieb fest
sollten Entwickler Gate-Spannungen innerhalb dieser Grenze auswählen und bei der Größenbestimmung der Treiber die Gate-Ladung von 67 nC berücksichtigen.
Wie wirkt sich der Gerätetyp auf die Wahl der Schaltungstopologie aus?
Als N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus benötigt er einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle für die Leitung, womit er für Low-Side-Schalt- und synchrone Gleichrichteranordnungen geeignet ist.
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