Infineon IMBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 248-9314
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IMBG65R039M1HXTMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Serie | IMBG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
Serie IMBG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 650-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie und nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit, ist für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen geeignet und ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit höchster Effizienz.
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Kommutierungsrobuste Fast-Body-Diode mit niedrigem Qf
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Tj,max-175 °C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Geringerer RDS(on) und Pulsstromabhängigkeit von der Temperatur
Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
Kompatibel mit Standardtreibern
Kelvin-Source bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
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