Infineon IPB64N25S3-20 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 170-2295
Herst. Teile-Nr.:: IPB64N25S320ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IPB64N25S3-20 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 170-2295
Herst. Teile-Nr.:: IPB64N25S320ATMA1
Hersteller:: Infineon

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	64A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	IPB64N25S3-20
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	20mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	67nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	10.25mm
	Höhe	4.4mm
	Länge	10mm
	Automobilstandard	AEC

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie IPB64N25S3-20
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 10.25mm
	Höhe 4.4mm
	Länge 10mm
	Automobilstandard AEC

Infineon IPB64N25S3-20 Serie MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB64N25S320ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen sehr breiten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage in einem TO-263-Gehäuse ausgelegt, wodurch er sich für kompakte Baugruppen eignet, bei denen eine robuste Leistungsaufnahme erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• 250 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 64 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 20 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 67 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Nennspannung sorgt für sichere Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Ideal für Kraftfahrzeug-Leistungsumwandlungsmodule
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Wird mit Wechselrichterstufen mit Motorantrieb verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Industrieelektronik

Welchen Temperaturbereich verträgt dieses Gerät in rauen Umgebungen?

Er funktioniert bei Umgebungstemperaturen von -55 °C bis 175 °C, was den Einsatz in Anwendungen mit extremen Temperaturen ermöglicht und den Bedarf an umfangreichem Wärmeschutz verringert.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage und -kühlung aus?

Der oberflächenmontierbare Formfaktor TO-263 bietet eine flache Montageoption und verfügt über ein großes Wärmeleitpad zur Wärmeübertragung auf Kühlkörper oder Kupferguss auf der Leiterplatte.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?

Eine Gate-Source-Nennspannung von 20 V legt den maximal zulässigen Gate-Antrieb fest

sollten Entwickler Gate-Spannungen innerhalb dieser Grenze auswählen und bei der Größenbestimmung der Treiber die Gate-Ladung von 67 nC berücksichtigen.

Wie wirkt sich der Gerätetyp auf die Wahl der Schaltungstopologie aus?

Als N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus benötigt er einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle für die Leitung, womit er für Low-Side-Schalt- und synchrone Gleichrichteranordnungen geeignet ist.