Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 826-9002
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB17N25S3100ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IPB17N25S3100ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 9.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 9.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS™T Leistungs-MOSFETs
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS konform)
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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