Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 12,84

(ohne MwSt.)

€ 15,41

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 150 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
  • Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 30. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10€ 1,284€ 12,84
20 - 40€ 1,027€ 10,27
50 - 90€ 0,964€ 9,64
100 - 240€ 0,917€ 9,17
250 +€ 0,894€ 8,94

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-1945
Herst. Teile-Nr.:
IPD200N15N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

9.45 mm

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPD200N15N3 G ist 150 V OptiMOS erreicht eine Reduzierung des R DS(on) von 40 % und von 45 % in der Leistungszahl (FOM) im Vergleich zum nächstbesten Mitbewerber. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von bleihaltigen auf SMD-Gehäuse oder den effektiven Austausch von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS-Teil.

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Weltweit niedrigster R DS(on)

Verwandte Links