Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Der Infineon PG-TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 6,8 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 90 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Einfach zu konstruierende Produkte
• Umweltfreundlich
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS (ein) Produkt (FOM)
• Ausgezeichnete Schaltleistung
• Halogenfrei
• Höchste Leistungsdichte
• Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung
• Erhöhte Effizienz
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Weniger Parallelschaltung erforderlich
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• kleinster Platzbedarf auf der Platine
• Sehr niedriger Qg und Qgd
• weltweit niedrigster RDS (ein)

• Klasse-D-Audioverstärker
• Isolierte DC/DC-Wandler (Telekommunikations- und Datenkommunikationssysteme)
• Motorsteuerung für 48-V-80-V-Systeme (Haushaltsfahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Lastwagen)
• O-Ring-Schalter und Überlastschalter in 48-V-Systemen
• Synchroner Gleichrichter

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.