Infineon IPD068N10N3 G N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-1939
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD068N10N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD068N10N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPD068N10N3 G | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 7.47mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPD068N10N3 G | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 7.47mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon MOSFET
Der Infineon PG-TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 6,8 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen Dauerablassstrom von 90 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 71 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Einfach zu designende Produkte
• Umweltfreundlich
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM)
• Ausgezeichnete Schaltleistung
• Halogenfrei
• Höchste Leistungsdichte
• Erhöhte Effizienz
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Weniger Parallelschaltung erforderlich
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• kleinster Platzbedarf auf der Platine
• Sehr niedriger Qg und Qgd
• weltweit niedrigster RDS (ein)
Anwendungen
• Klasse-D-Audioverstärker
• Isolierte DC/DC-Wandler (Telekommunikations- und Datenkommunikationssysteme
• Motorsteuerung für 48-V-80-V-Systeme (Haushaltsfahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Lastwagen)
• O-Ring-Schalter und Überlastschalter in 48-V-Systemen
• Synchroner Gleichrichter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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