Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 136 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 218-3054
Herst. Teile-Nr.:: IPD90N10S4L06ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 136 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 218-3054
Herst. Teile-Nr.:: IPD90N10S4L06ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	90A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	OptiMOS-T2
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6.6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	75nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	136W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie OptiMOS-T2
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 136W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD90N10S4L06ATMA1

Infineon OptiMOS-T2 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD90N10S4L06ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen Umgebungen, einschließlich Automobilanwendungen, entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Leiterplatten-Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ablass-Quellenspannung von 100 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 90 A unterstützt hohe Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 6,6 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 75 nC ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 136 W unterstützt das Wärmemanagement unter Last
• Maximale Gate-Source-Spannung von 16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Leistungsstufen in elektronischen Kfz-Steuereinheiten
• Ideal für DC/DC-Wandler, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen, die geringe Leitungsverluste erfordern
• Kann für Batteriemanagement- und Verteilungssysteme verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen auf kompakten Leiterplatten

Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?

Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 175 °C.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?

Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.

Wie viele elektrische Verbindungen stellt er zu einem Stromkreis dar?

Er verfügt über drei Stifte für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.

Welcher Kanaltyp und welcher Modus definieren das Leitverhalten?

Es verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus arbeitet.

Wie groß sind die Abmessungen der physischen Grundfläche?

Das Gehäuse misst 6,73 x 6,22 x 2,41 mm, um das Board-Layout zu berücksichtigen.