Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 29 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
215-2503
Herst. Teile-Nr.:
IPD25N06S4L30ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS ®-T2-Leistungstransistor hat eine maximale Ableitquellspannung von 60 V, N-Ch, Kfz-MOSFET, mit DPAK(TO-252)-Gehäusetyp.

N-Kanal - Anreicherungstyp

AEC Q101-zertifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

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