Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
273-3002
Herst. Teile-Nr.:
IPD048N06L3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.731 mm

Länge

10.48mm

Höhe

6.223mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

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