Infineon IPD600N25N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 5-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
170-2288
Herst. Teile-Nr.:
IPD600N25N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

IPD600N25N3 G

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.47 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IPD600N25N3 G ist eine OptiMOS-Serie mit 250 V und ist eine führende Technologie für Leistungswerte, die sich perfekt für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe eignet.

Branchen mit niedrigster R DS(on)

Niedrigste Q g und Q gd

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