Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
168-8971
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

7.49 mm

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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