onsemi Einfach PowerTrench Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 9 A 1.47 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-2832
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6692A
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- FDS6692A
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.47W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 1.575mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.47W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 1.575mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Breite 3.9 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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