onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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806-3668
Herst. Teile-Nr.:
FDS8813NZ
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.9 mm

Höhe

1.575mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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