onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0624
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6690A
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
€ 4,48
(ohne MwSt.)
€ 5,38
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 4 995 Einheit(en) mit Versand ab 30. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,896 | € 4,48 |
| 50 - 95 | € 0,772 | € 3,86 |
| 100 - 495 | € 0,67 | € 3,35 |
| 500 - 995 | € 0,588 | € 2,94 |
| 1000 + | € 0,536 | € 2,68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0624
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6690A
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC