Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

9,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

32,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

25 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4mm

Länge

5mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.5mm