Infineon IRF9410 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7 A 2,5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
162-3278
Herst. Teile-Nr.:
IRF9410TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

IRF9410

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 10 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Die HEXFETS der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leiterrahmen modifiziert, um verbesserte thermische Eigenschaften und die Fähigkeit zur Mehrfachstempelung zu erreichen, was es ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Geräte in einer Anwendung verwendet werden, wodurch der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahrenstechniken ausgelegt.

Niedriger RDS (EIN)Branchenführende QualitätDynamische dv/dt-BewertungSchnelle SchaltgeschwindigkeitBetriebstemperatur von 175 °C

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