Infineon IRF9410 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7 A 2,5 W, 8-Pin SO-8

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Die HEXFETS der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leiterrahmen modifiziert, um verbesserte thermische Eigenschaften und die Fähigkeit zur Mehrfachstempelung zu erreichen, was es ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Geräte in einer Anwendung verwendet werden, wodurch der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahrenstechniken ausgelegt.

Niedriger RDS (EIN)Branchenführende QualitätDynamische dv/dt-BewertungSchnelle SchaltgeschwindigkeitBetriebstemperatur von 175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.