Infineon IRF7805Z N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
162-3276
Herst. Teile-Nr.:
IRF7805ZTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

16 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

IRF7805Z

Gehäusegröße

SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.25V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18 nC @ 4,5 V

Länge

5mm

Breite

4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Höhe

1.5mm

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 16A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7805ZTRPBF


Dieser MOSFET von Infineon nutzt die fortschrittliche HEXFET-Technologie und bietet eine optimierte Leistung für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bewältigt er effektiv hohe kontinuierliche Drain-Ströme bei gleichzeitig niedrigem On-Widerstand und eignet sich damit für Aufgaben, die eine robuste elektrische Effizienz erfordern. Die Möglichkeit der Oberflächenmontage und das kompakte SO-8-Gehäuse erhöhen seine Vielseitigkeit, insbesondere für DC-DC-Wandlerschaltungen, die moderne elektronische Geräte versorgen.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) zur Minimierung von Energieverlusten
• Erhöht die Effizienz bei Hochstromanwendungen
• Ausgezeichnete thermische Leistung bis zu +150°C
• Schnelles Umschalten für eine verbesserte Reaktion des Geräts
• Maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V

Anwendungsbereich


• Anwendungen, die geringe Leitungsverluste erfordern
• Mobile Kommunikationsgeräte und Prozessoren
• Stromversorgungssysteme für elektronische Geräte
• Automatisierung und Steuerung in elektrischen Anlagen

Wie hoch ist die maximale Dauerstrombelastbarkeit?


Er kann bis zu 16 A verarbeiten und bietet damit eine hohe Leistung in verschiedenen Anwendungen.

Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses MOSFET in Schaltungen?


Der niedrige Rds(on) und der hohe Wirkungsgrad reduzieren die Gesamtverluste, was zu einem effektiven Energiemanagement führt.

Kann dieser MOSFET bei hohen Temperaturen arbeiten?


Ja, er ist für eine maximale Betriebstemperatur von +150°C ausgelegt, was die Funktionalität unter verschiedenen Bedingungen gewährleistet.

Wie wirkt sich die Schaltgeschwindigkeit auf die Leistung aus?


Die schnellen Schaltfunktionen verbessern das Ansprechverhalten des Geräts und machen es für Hochfrequenzanwendungen geeignet.

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