onsemi SupreMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 73 A 543 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 146-1996
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH76N60NF
- Hersteller:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- FCH76N60NF
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 73 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | SupreMOS | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 38 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 543 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V | |
| Länge | 15.87mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.82mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 73 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie SupreMOS | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 38 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 543 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 230 nC bei 10 V | ||
Länge 15.87mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.82mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild bringt eine neue Generation von 600 V Super-Junction-MOSFETs hervor: SupreMOS®.
Die Kombination aus ihrer niedrigen RDS(ein) und Gesamt-Gatter-Ladung ergibt eine im Vergleich zu den 600 V SuperFET™-MOSFETs von Fairchild um 40 Prozent geringere Leistungszahl. Zusätzlich bietet die SupreMOS-Familie eine niedrige Gatterladung für die gleiche RDS(ein) und sorgt so für eine ausgezeichnete Schaltleistung und einen um 20 Prozent geringeren Schalt- und Leitungsverlust, was zu einer höheren Effizienz führt.
Durch diese Funktionen können Netzteile den Anforderungen der ENERGY STAR® 80 PLUS Gold-Klassifizierung für Desktop-PCs und der Platin-Klassifizierung für Server entsprechen.
Die Kombination aus ihrer niedrigen RDS(ein) und Gesamt-Gatter-Ladung ergibt eine im Vergleich zu den 600 V SuperFET™-MOSFETs von Fairchild um 40 Prozent geringere Leistungszahl. Zusätzlich bietet die SupreMOS-Familie eine niedrige Gatterladung für die gleiche RDS(ein) und sorgt so für eine ausgezeichnete Schaltleistung und einen um 20 Prozent geringeren Schalt- und Leitungsverlust, was zu einer höheren Effizienz führt.
Durch diese Funktionen können Netzteile den Anforderungen der ENERGY STAR® 80 PLUS Gold-Klassifizierung für Desktop-PCs und der Platin-Klassifizierung für Server entsprechen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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