onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 33 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 759-9188
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF5N60NZ
- Hersteller:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 759-9188
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF5N60NZ
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Serie | UniFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 33 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.16mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 15.87mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Serie UniFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 33 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.16mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 15.87mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UniFET N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UniFET N-Kanal5 A 90 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi UniFET N-Kanal5 A 78 W, 3-Pin TO-220
- onsemi UniFET N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi UniFET N-Kanal 2-Pin TO-3PN
- onsemi SuperFET II N-Kanal4 A 28 W, 3-Pin TO-220F
