STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 51 A 350 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 761-0336
Herst. Teile-Nr.:: STW55NM60ND
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 51 A 350 W, 3-Pin TO-247

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N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	51 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	FDmesh
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	350 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.75mm
Breite	5.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	190 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 51 A 350 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

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