STMicroelectronics Einfach FDmesh N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 51 A 350 W,

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RS Best.-Nr.:
103-1993
Herst. Teile-Nr.:
STW55NM60ND
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

FDmesh

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Maximale Verlustleistung Pd

350W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Länge

15.75mm

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-FDmeshTM-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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