STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-7473
Herst. Teile-Nr.:: STW34NM60ND
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: STW34NM60ND
Hersteller:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	29 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	FDmesh
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Breite	5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.75mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	80,4 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

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