onsemi N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 39 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
124-5385
Herst. Teile-Nr.:
NDF10N60ZG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Verlustleistung max.

39 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

47 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.63mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.12mm

Ursprungsland:
KR

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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