Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 16 A 39 W, 3-Pin TO-220

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in industriellen und elektronischen Systemen vorgesehen ist. Er ist für die Durchsteckmontage in TO-220-Gehäusen optimiert und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Spannungsverarbeitung und Flexibilität des Gate-Antriebs erfordern. Das Gerät arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Designs, bei denen herkömmliche Oberflächenmontageteile unpraktisch sind.

• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 68 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Lastbetriebs • 16 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten • Die typische Gate-Ladung von 51 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung • Maximale Verlustleistung von 39 W steuert die thermische Belastung in Schaltkreisen • 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern

• Geeignet für netzseitige Schaltvorgänge in industriellen Wandlern • Ideal für Hochspannungs-Motorantriebe-Front-Ends • Wird für Schaltnetzteile verwendet, die erhöhte Spannungen verarbeiten • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in größeren Systemen verwendet werden • Wird mit diskreten Stromversorgungen verwendet, die eine Durchsteckmontage erfordern

Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C und eignet sich für Kaltstartbedingungen und Hochtemperaturumgebungen.

Mit einer maximalen Verlustleistung von 39 W wird eine Kühlkörper- oder Chassismontage empfohlen, um die Sperrschichttemperatur bei kontinuierlichen Lasten innerhalb sicherer Grenzen zu halten.

Das Gate muss innerhalb von ±30 V betrieben werden

Das TO-220-Format mit Durchgangsbohrung erleichtert die manuelle oder Wellenlötmontage und bietet eine robuste mechanische Verbindung für Hochleistungslayouts.