Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-8963
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4110PBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.82mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.66mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.82mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.66mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 370W maximale Verlustleistung - IRFB4110PBF
Dieser MOSFET ist ein effizienter Leistungstransistor, der auf Anwendungen in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie zugeschnitten ist. Die robuste Konstruktion und die präzisen Spezifikationen bieten eine vielseitige Lösung für Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Mit einem Enhancement-Mode-Design und einer N-Kanal-Konfiguration ist er für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge geeignet.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 180 A unterstützt hohe Leistung
• Drain-zu-Source-Spannungsbereich von 100 V ermöglicht eine Vielzahl von Anwendungen
• Niedriger RDS(on) von 4,5mΩ reduziert den Leistungsverlust und erhöht die Effizienz
• Eine Verlustleistung von bis zu 370 W gewährleistet Stabilität
• Verbesserte thermische Eigenschaften fördern die Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen
• Vollständige Charakterisierung der Lawinen- und dynamischen dv/dt-Robustheit fördert die Haltbarkeit
Anwendungsbereich
• Einsatz in hocheffizienter Synchrongleichrichtung für Stromversorgungen
• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise
• Einsetzbar in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen
Welches ist der geeignete Betriebstemperaturbereich für eine optimale Leistung?
Er arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und gewährleistet die Funktionalität in verschiedenen Umgebungen.
Wie minimiert der MOSFET den Energieverlust in Schaltkreisen?
Der niedrige RDS(on) von 4,5mΩ verringert die Leitungsverluste erheblich und ermöglicht einen effizienten Betrieb in der Leistungselektronik.
Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, sein Design ermöglicht schnelle Schaltvorgänge, so dass er für Anwendungen geeignet ist, die schnelle Ein- und Ausschaltvorgänge erfordern.
Wie hoch ist der Wärmewiderstand für eine ordnungsgemäße Montage?
Der Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse beträgt 0,402°C/W, während der Widerstand zwischen Gehäuse und Senke 0,50°C/W beträgt, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.
Welche Lawineneigenschaften sind bei der Nutzung zu beachten?
Er unterstützt Einzelimpuls-Avalanche-Energiewerte, bietet Schutz gegen transiente Spannungsspitzen und gewährleistet Zuverlässigkeit beim Schaltungsdesign.
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