Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 220-7345
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4110
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7345
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4110
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.31mm | |
| Breite | 20.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.31mm | ||
Breite 20.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diese HEXFET Leistungs-MOSFETs von Infineon AUIRFP4110 wurden speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax
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