Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 913-3960
Herst. Teile-Nr.:: IRFB3077PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 913-3960
Herst. Teile-Nr.:: IRFB3077PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	210 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	370 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.82mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	160 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.66mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.02mm

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