Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 11,28

(ohne MwSt.)

€ 13,535

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 285 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 2,256€ 11,28
50 - 120€ 1,714€ 8,57
125 - 245€ 1,60€ 8,00
250 - 495€ 1,488€ 7,44
500 +€ 1,372€ 6,86

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6726
Herst. Teile-Nr.:
IRF2807ZPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie 175 °C-Betriebstemperatur an der Verbindung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

Verwandte Links