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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 495-574
Distrelec Article No.:: 302-84-033
Mfr. Part No.:: IRFB3206PBF
Brand:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 210 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Stock No.:: 495-574
Distrelec Article No.:: 302-84-033
Mfr. Part No.:: IRFB3206PBF
Brand:: Infineon

Specifications

Technical Reference

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	210A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	120nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.02mm
	Breite	4.83 mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.02mm
	Breite 4.83 mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

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