Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 41 A 205 W, 4-Pin TO-247AD

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RS Best.-Nr.:
790-414
Herst. Teile-Nr.:
MXPQ120A063SL-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

MaxSiC

Gehäusegröße

TO-247AD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

205W

Durchlassspannung Vf

4.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

16.13mm

Höhe

5.21mm

Länge

23.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay ist ein Hochleistungs-Schaltgerät, das zur Steigerung der Effizienz in verschiedenen Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit optimiert die Betriebsleistung

Kurzschlussfestigkeit von 3 μs erhöht die Zuverlässigkeit

AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen

Niedriger Einschaltwiderstand von 63 mΩ sorgt für minimalen Leistungsverlust

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