Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 41 A 205 W, 4-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 790-415
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A063SL-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | MaxSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 79mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 23.6mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie MaxSiC | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 79mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 23.6mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet Effizienz, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Sein fortschrittliches Design gewährleistet einen robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen bei gleichzeitiger umweltfreundlicher Konformität.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Effizienz bei der Stromumwandlung
Kurzschlussfestigkeit von 3 μs erhöht die Zuverlässigkeit des Geräts
Niedriger Einschaltwiderstand von 63 mΩ bei 25 °C minimiert den Energieverlust
Hohe Spannungswerte von bis zu 1200 V unterstützen vielseitige Anwendungen
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