Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 41 A 205 W, 4-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 790-415
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A063SL-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 9,73
(ohne MwSt.)
€ 11,68
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 9,73 |
| 10 - 99 | € 7,08 |
| 100 - 599 | € 5,89 |
| 600 - 1199 | € 5,26 |
| 1200 + | € 4,91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 790-415
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A063SL-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Serie | MaxSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 79mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 23.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Serie MaxSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 79mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 23.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet Effizienz, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Sein fortschrittliches Design gewährleistet einen robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen bei gleichzeitiger umweltfreundlicher Konformität.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Effizienz bei der Stromumwandlung
Kurzschlussfestigkeit von 3 μs erhöht die Zuverlässigkeit des Geräts
Niedriger Einschaltwiderstand von 63 mΩ bei 25 °C minimiert den Energieverlust
Hohe Spannungswerte von bis zu 1200 V unterstützen vielseitige Anwendungen
Verwandte Links
- Vishay MaxSiC N-Kanal 4-Pin TO-247AD
- Vishay MaxSiC N-Kanal 4-Pin TO-247AD
- Vishay MaxSiC N-Kanal 7-Pin TO-263-7L
- Vishay MXP N-Kanal 3-Pin TO-247AD 3L
- Vishay MaxSiC N-Kanal 7-Pin TO-263-7L
- Vishay MaxSiC N-Kanal 7-Pin TO-263-7L
- Vishay MXP120A Typ N-Kanal 3-Pin TO-247AD 3L
- Vishay E Series N-Kanal 4-Pin TO-247AD