Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 32 A 185 W, 7-Pin TO-263-7L
- RS Best.-Nr.:
- 790-413
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A080SE-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7L | |
| Serie | MaxSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 185W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.28mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Länge | 9.23mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263-7L | ||
Serie MaxSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 185W | ||
Durchlassspannung Vf 4.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.28mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.5mm | ||
Länge 9.23mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für eine effiziente Energieumwandlung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt und verfügt über fortschrittliche Schaltfunktionen und robuste Betriebsmerkmale.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamtleistung des Systems
Kurzschlussfestigkeit von 3 μs verbessert die Zuverlässigkeit
Gate-Source-Spannung von -10 bis +22 V ermöglicht flexiblen Betrieb
Der kontinuierliche Ablassstrom von 32 A gewährleistet eine effektive Funktionalität