Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 31 A 174 W, 4-Pin TO-247AD

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RS Best.-Nr.:
790-417
Herst. Teile-Nr.:
MXPQ120A080SL-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

174W

Durchlassspannung Vf

4.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.21mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

23.6mm

Breite

16.13mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Hochleistungs-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt und gewährleistet optimale Leistung und Zuverlässigkeit in Ihren Systemen.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamteffizienz des Systems

Kurzschlussfestigkeit von 3 μs bietet robusten Schutz

AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen gewährleistet Zuverlässigkeit

Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

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