ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 280 A 192 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD
- RS Best.-Nr.:
- 780-361
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1G10BBGTL1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.85mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.9mm | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263AB-3LSHYAD | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.85mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.9mm | ||
Höhe 4.77mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Power-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarke N-Kanal-Schaltvorgänge für das Energiemanagement im Automobil- und Industriebereich. Dieses AEC-Q101-qualifizierte Gerät wurde für Hochspannungsanwendungen entwickelt und gewährleistet einen effizienten Betrieb in anspruchsvollen Fahrzeugumgebungen.
Drain-Quellenspannung von 100 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A
Kompaktes DFN2020Y-Gehäuse
Automotive AEC-Q101-Qualifizierung