ROHM RJ1 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 89 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 646-551
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1R04BBHTL1
- Hersteller:
- ROHM
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- RJ1R04BBHTL1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Länge | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.77mm | ||
Breite 10.36 mm | ||
Länge 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 150 Volt und 40 Ampere Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein Hochleistungsgehäuse des Typs TO 263AB, eine bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der Beschränkungen für gefährliche Stoffe aus.
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet
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