ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 120 A 135 W, 3-Pin TO-263AB

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*

€ 5,78

(ohne MwSt.)

€ 6,94

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
2 - 18€ 2,89€ 5,78
20 - 198€ 2,605€ 5,21
200 - 998€ 2,405€ 4,81
1000 - 1998€ 2,23€ 4,46
2000 +€ 1,81€ 3,62

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-884
Herst. Teile-Nr.:
RJ1P07CBHTL1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RJ1

Gehäusegröße

TO-263AB

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

135W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73.0nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Nch 100V 120A TO-263AB Leistungs-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand und hoher Leistung in einem kleinen Gehäuse, geeignet zum Schalten.

Geringer Durchlasswiderstand

Kleines Gehäuse für hohe Leistung (TO263AB)

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

100% UIS-geprüft

Verwandte Links