ROHM RJ1N04BBHT Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 89 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD
- RS Best.-Nr.:
- 687-400
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1N04BBHTL1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Serie | RJ1N04BBHT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.5mm | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-263AB-3LSHYAD | ||
Serie RJ1N04BBHT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.5mm | ||
Breite 10.36 mm | ||
Höhe 4.77mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um einen hervorragenden Wirkungsgrad in anspruchsvollen Anwendungen zu bieten. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 80 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 100 A ist er für effektive Schaltaufgaben in einer Vielzahl von Schaltkreisen ausgelegt und damit ideal für Motorantriebe und DC/DC-Wandler. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5,3 mΩ sorgt dafür, dass der Energieverlust minimiert wird, was zu einem besseren Wärmemanagement und einem zuverlässigen Betrieb unter Bedingungen mit hoher Leistung führt. Dieses Gerät entspricht den RoHS-Normen und erfüllt nicht nur die Umweltanforderungen, sondern gewährleistet auch eine hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit für Endnutzer in verschiedenen Bereichen der Elektronik.
Niedriger Einschaltwiderstand für effektives Energiemanagement und geringere thermische Belastung
Kann kontinuierliche Ablassströme von ±100 A verarbeiten, ideal für Hochleistungsdesigns
Umfassende Tests auf Robustheit, einschließlich 100 % Rg und UIS-Tests
Pb-freie Beschichtung gewährleistet die Einhaltung internationaler Umweltstandards
Halogenfreie Konstruktion trägt zur ökologischen Nachhaltigkeit bei
Robuste Verpackungsspezifikationen, einschließlich geprägtem Band für zuverlässigen Transport und Lagerung
Der Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C bietet Flexibilität im Betrieb in unterschiedlichen Umgebungen
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