ROHM RJ1N04BBHT N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 100 A 89 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD
- RS Best.-Nr.:
- 687-400
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1N04BBHTL1
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt sichern
20 weitere Einheiten hinzufügen, um 11% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
€ 7,68
(ohne MwSt.)
€ 9,22
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,84 | € 7,68 | - |
| 20 - 98 | € 3,385 | € 6,77 | 11% |
| 100 - 198 | € 3,035 | € 6,07 | 20% |
| 200 + | € 2,39 | € 4,78 | 37% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-400
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1N04BBHTL1
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | RJ1N04BBHT | |
| Gehäusegröße | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.36mm | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie RJ1N04BBHT | ||
Gehäusegröße TO-263AB-3LSHYAD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.36mm | ||
Höhe 4.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um einen hervorragenden Wirkungsgrad in anspruchsvollen Anwendungen zu bieten. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 80 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 100 A ist er für effektive Schaltaufgaben in einer Vielzahl von Schaltkreisen ausgelegt und damit ideal für Motorantriebe und DC/DC-Wandler. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5,3 mΩ sorgt dafür, dass der Energieverlust minimiert wird, was zu einem besseren Wärmemanagement und einem zuverlässigen Betrieb unter Bedingungen mit hoher Leistung führt. Dieses Gerät entspricht den RoHS-Normen und erfüllt nicht nur die Umweltanforderungen, sondern gewährleistet auch eine hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit für Endnutzer in verschiedenen Bereichen der Elektronik.
Niedriger Einschaltwiderstand für effektives Energiemanagement und geringere thermische Belastung
Kann kontinuierliche Ablassströme von ±100 A verarbeiten, ideal für Hochleistungsdesigns
Umfassende Tests auf Robustheit, einschließlich 100 % Rg und UIS-Tests
Pb-freie Beschichtung gewährleistet die Einhaltung internationaler Umweltstandards
Halogenfreie Konstruktion trägt zur ökologischen Nachhaltigkeit bei
Robuste Verpackungsspezifikationen, einschließlich geprägtem Band für zuverlässigen Transport und Lagerung
Der Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C bietet Flexibilität im Betrieb in unterschiedlichen Umgebungen