ROHM RX3N10BBH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 646-603
- Herst. Teile-Nr.:
- RX3N10BBHC16
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | RX3N10BBH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie RX3N10BBH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der einfache N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Er verfügt über eine Ablassquelle-Spannung von 80 V und einen Ablassstrom von 225 A, womit er für Motorantriebe, DC/DC-Wandler und Stromverwaltungssysteme geeignet ist. Mit einem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 2,2 mΩ und einem leistungsstarken TO-220AB-Gehäuse sorgt es für einen effizienten Betrieb und thermische Stabilität.
Hochleistungsgussgehäuse
Pb-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei
Rg und UIS getestet
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