Microchip VP0808 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 280 mA 1 W, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
649-535
Herst. Teile-Nr.:
VP0808L-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-92

Serie

VP0808

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.080 mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

0.50mm

Automobilstandard

Nein

Der Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) von Microchip nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsbelastbarkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine eine sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Niedrige CISS-Werte und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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