Microchip VP0808 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 280 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 6,42

(ohne MwSt.)

€ 7,705

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 940 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,284€ 6,42
50 - 245€ 1,13€ 5,65
250 - 495€ 1,016€ 5,08
500 +€ 0,832€ 4,16

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
649-535
Herst. Teile-Nr.:
VP0808L-G
Hersteller:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-92

Serie

VP0808

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

0.50mm

Breite

0.080 mm

Automobilstandard

Nein

Der Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) von Microchip nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsbelastbarkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine eine sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Niedrige CISS-Werte und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Verwandte Links

Recently viewed