ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 17 W, 3-Pin TO-252 (TL)

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*

€ 0,86

(ohne MwSt.)

€ 1,04

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
2 - 48€ 0,43€ 0,86
50 - 198€ 0,385€ 0,77
200 - 998€ 0,35€ 0,70
1000 - 1998€ 0,275€ 0,55
2000 +€ 0,27€ 0,54

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
687-488
Herst. Teile-Nr.:
RD3N045ATTL1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

RD3N045AT

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

17W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Breite

6.8 mm

Länge

10.50mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen entwickelt. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von -80 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von -4,5 A bietet dieser MOSFET eine hervorragende elektrische Leistung für anspruchsvolle Umgebungen. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand von 650 mΩ maximiert den Wirkungsgrad und minimiert die Wärmeentwicklung, was zu einer überragenden Gesamtzuverlässigkeit beiträgt. Der RD3N045AT ist RoHS-konform und verfügt über ein robustes TO-252-Gehäuse, das sich ideal für Motorantriebe und andere Schaltanwendungen eignet und einen robusten Betrieb in Szenarien mit hoher Leistung gewährleistet. Das Gerät wird streng auf die Zuverlässigkeit des Gates geprüft und ist außerdem halogenfrei, was umweltfreundliche Praktiken unterstützt.

Niedriger Einschaltwiderstand von 650 mΩ erhöht die Effizienz und reduziert Leistungsverluste

Bietet eine hohe Leistungsaufnahme mit einer maximalen Verlustleistung von 17 W

Ausgelegt für eine maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C, die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet

Impuls-Ablassstromkapazität von ±9 A unterstützt Anwendungen mit transienten Lasten

Gate-Source-Spannungstoleranz von ±20 V ermöglicht flexible Schaltungsentwürfe

Ideal für Motorantriebsanwendungen zur Verbesserung der Leistung von Elektromotoren

RoHS-konforme Konstruktion fördert ökologische Nachhaltigkeit

Geprüft auf 100 % Rg und UIS, um eine robuste Langzeitleistung zu gewährleisten

Verwandte Links