Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 141 W, 4-Pin TO-LL

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RS Best.-Nr.:
762-923
Herst. Teile-Nr.:
IMTA65R075M2HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

TO-LL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Verlustleistung Pd

141W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

8.2mm

Länge

8.2mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.

Extrem niedrige Schaltverluste

Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems

Erleichtert die einfache Bedienung und Integration

Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme

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