Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 74 A 187 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 762-921
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 5,06
(ohne MwSt.)
€ 6,07
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,06 |
| 10 - 99 | € 3,44 |
| 100 - 499 | € 2,47 |
| 500 - 1799 | € 2,18 |
| 1800 + | € 2,08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-921
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.35mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 15.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.35mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 15.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.
Extrem niedrige Schaltverluste
Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems
Erleichtert die einfache Bedienung und Integration
Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16