Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 26.6 A 111 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 762-920
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 111W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 13.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 111W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 13.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.
Extrem niedrige Schaltverluste
Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems
Erleichtert die einfache Bedienung und Integration
Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme
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