Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 26.6 A 111 W, 4-Pin TO-247-4

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RS Best.-Nr.:
762-920
Herst. Teile-Nr.:
IMZA65R075M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

21.1mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.

Extrem niedrige Schaltverluste

Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems

Erleichtert die einfache Bedienung und Integration

Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme

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