Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 25 V / 52 A 242 W, 4-Pin TO-247-4

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RS Best.-Nr.:
762-927
Herst. Teile-Nr.:
IMZC140R038M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

38mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

242W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

23.5mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 ist ein Siliziumkarbid-MOSFET mit .XT-Verbindungstechnologie. Es verwendet .XT-Verbindungstechnologie für erstklassige thermische Leistung und robuste Gehäusediode für harte Kommutierung.

Betrieb bei hohen Temperaturen

Geeignet für harte Kommutierung

Zuverlässiges Wärmemanagement

Verbesserte Leistung

Erhöhte Effizienz

Optimierte Gate-Ansteuerung

Geeignet für Leistungselektronik

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