Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 124 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 762-918
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 124W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 124W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.
Extrem niedrige Schaltverluste
Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems
Erleichtert die einfache Bedienung und Integration
Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme
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