Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 124 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
762-918
Herst. Teile-Nr.:
IMBG65R075M2HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

124W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.5mm

Länge

15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.

Extrem niedrige Schaltverluste

Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems

Erleichtert die einfache Bedienung und Integration

Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme

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