Infineon AIMBG75R N-Kanal, SMD MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
762-870
Herst. Teile-Nr.:
AIMBG75R050M2HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

AIMBG75R

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Montageart

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

234W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

169nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Hochleistungs-SiC-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um die Effizienz in Automobilanwendungen zu verbessern, indem er eine effektive Leistungsumwandlung und -verwaltung ermöglicht.

Verfügt über eine äußerst robuste 750-V-Technologie mit 100 % Avalanche-Test

Bietet überlegenen Wirkungsgrad bei hartem Schalten und hohen Schaltfrequenzen

Bietet die klassenbeste Wärmeableitung für zuverlässigen Betrieb

Enthält integrierte ESD-Diode für erhöhte Robustheit

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