Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 276 A, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
284-679
Herst. Teile-Nr.:
IPF015N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

276 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

OptiMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein hochmodernes Bauteil, das für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieser fortschrittliche N-Kanal-MOSFET bietet eine optimale Mischung aus Leistung und Effizienz und eignet sich daher ideal für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit an erster Stelle steht. Der bemerkenswert niedrige Durchlasswiderstand des Transistors reduziert die Verlustleistung erheblich und trägt so zu einer verbesserten Gesamtenergieeffizienz bei. Dank der Funktionen, die sich in strengen Lawinentests bewährt haben, können die Benutzer diese Komponente unbesorgt in ihre Designs integrieren. Die Pb-freie Bleibeschichtung und die RoHS-Konformität stellen sicher, dass Umweltaspekte erfüllt werden, was das Engagement des Herstellers für nachhaltige Praktiken widerspiegelt.

Optimiert für Hochfrequenzanwendungen
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Leistung
Sehr geringer Widerstand reduziert den Leistungsverlust
100%ige Lawinenfähigkeit gewährleistet Zuverlässigkeit
RoHS-konform für umweltfreundlichen Gebrauch
Halogenfrei für verbesserte Sicherheitsstandards
Vollständig qualifiziert nach JEDEC für den industriellen Einsatz

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